近日，美国橡树岭国家实验室（Oak Ridge National Laboratory）的Ivan V. Vlassiouk博士联合莱斯大学（Rice University）Boris I. Yakobson博士和新墨西哥州立大学（New Mexico State University）的Sergei N. Smirnov博士在Nature Materials 上发表文章，报道了他们在多晶衬底上生长“英尺级”连续单晶单层石墨烯薄膜的重大突破。他们采用一种化学气相沉积（CVD）技术，借鉴单晶生产常见的提拉法（Czochralski process）的思路，基于“进化选择（evolutionary selection）”生长法在多晶衬底上以2.5厘米/小时的速度生长大尺寸连续单晶单层石墨烯薄膜。其中一个实验所制备的石墨烯薄膜，长度可达1英尺（约30厘米）。

在下图实验室中看到了科晶设备的身影：

Ivan Vlassiouk博士。图片来源：ORNL

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科晶公司拥有用于大面积、高质量石墨烯及其他二维材料的规模化生长的卷对卷石墨烯制备管式炉系统：

设备型号：OTF-1200X-II-PE-RR

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