问题来源：通过总结官网、微信后台留言及展会交流中的客户反馈，发现在大尺寸基片上镀膜及所镀膜层厚度的均匀性是研究者所关注的热点。

   基片膜厚均匀性是衡量薄膜质量和镀膜设备的一项重要因素。基于膜厚均匀性的重要意义，科晶应用技术实验室利用磁控溅射的方法从“如何利用小平面靶材在大尺寸基片上获得良好均匀性的薄膜”开展了系列实验。

实验结果如下：

图组一

   为更直观的检测四英寸基片膜厚均匀性，选取基片直径处的样品进行断面形貌表征析，如下图。实验发现：薄膜厚度约为3.3μm，且不同位置的膜厚误差约为0.2μm，表明基片上膜厚较为均匀。利用小平面靶材，结合科晶VTC-3RF磁控溅射设备成功在大尺寸基片上获得均匀性较好的薄膜。

图组二

样品选取

特别提示：

以上具体实验参数如果您感兴趣，请与合肥科晶应用技术实验室联系索要具体数据。

特别声明：

1. 以上所有实验仅供参考。

2.欢迎您提出其他实验思路，我们来验证。

3.以下实验案例及数据只针对科晶设备，不一定具有普遍性。

4.欢迎老师与我们联系，我们非常期待和您共同探讨设备的应用技术。