晶格常数：

a=3.08Å  c=10.05Å

硬度(Mohs)：         

≈9.2

方向：

生长轴或偏(0001) 3.5°

带隙：

2.93eV (间接)

导电类型：

N导电

电阻率:

0.1-0.01 ohm-cm

介电常数：

e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

导电率：

5W / cm·K

生长方式：

MOCVD(有机金属化学气相沉积）

常规尺寸：

10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm                     

抛光情况：

单抛、双抛

抛光面：

常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光

抛光面粗糙度：

< 15A

注：尺寸及方向可按照客户要求定做。