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光学级掺镁铌酸锂 晶片
- 型号:
- MgOLiNbO3
- 产品概述:
- 纯同成份铌酸锂晶体最大的缺点是抗激光损伤阙值很低,这限制了它的应用领域。当掺入5mol%MgO后,所生长MgO:LN晶体的抗激光损伤阙值提高1-2个数量级,极化反转电压从21KV/mm降至6KV/mm,紫外吸收边紫移至310mm,OH-吸收峰红移至3535cm-1,这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。
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技术参数产品视频实验案例警示/应用提示配件详情
产品规格
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轴向: | Z cut (+/-0.2°) | 直径: | 76.2mm(+/-0.3mm) | 基准面: | 22mm(+/-2mm) | 厚度: | 500um(+/-5um)/1000um(+/-5um) | 晶片背面: | 双面抛光 | TTV: | ≤6um | WARP: | ≤20um | 浓度: | 4.9-6mol% | 边缘倒角: | edge rounding |
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标准包装
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1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |
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